[发明专利]非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201110443501.3 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102509735A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 廖蕾;王春兰;刘曰利;刘兴强;陈文;贺彪 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/10;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 汪俊锋 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管，以非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，复合的纳米氧化铟和氧化铟锌的摩尔比为0.5%～1%。将0.5%～1%摩尔比的氧化铟纳米颗粒加入到铟盐-锌盐复合胶体溶液中，利用旋涂法和煅烧，制备出高性能的氧化铟锌薄膜，再将其进行微纳加工如光刻、刻蚀、再光刻以及电极的蒸镀和剥离制备出复合型薄膜场效应晶体管。通过控制工艺条件，可以得到具有高迁移率的场效应晶体管，并且使其具备较高的透光性能。制备方法成本低廉，可实现大规模批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 纳米 同质 复合 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管，其特征在于，以非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，复合的纳米氧化铟和氧化铟锌的摩尔比为0.5%～1%。
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