[发明专利]非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜晶体管，其特征在于，以非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，复合的纳米氧化铟和氧化铟锌的摩尔比为0.5%～1%。

2.权利要求1所述同质复合薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）将氧化铟纳米颗粒超声分散于有机溶剂中作为母液待用，将摩尔比1:1的四水合硝酸铟和二水合醋酸锌溶于乙二醇甲醚中，溶液记为A，并按照乙醇胺：铟=10：1的摩尔浓度比加入乙醇胺作为稳定剂；

2）向溶液A中添加分散均匀的纳米氧化铟颗粒的母液并超声分散，使A中氧化铟颗粒为In(NO₃)₃·4H₂O和C₄H₆O₄Zn·2H₂O总摩尔的0.5%～1%；然后旋涂于衬底上，烘干后继续旋涂，直至达到厚度；

3）在大气中热退火，即得到IZO/In₂O₃NCs复合薄膜材料；

4）利用紫外光刻技术，通过第一次掩膜，利用湿法刻蚀将复合薄膜刻蚀成小块，接着经过第二次光刻掩膜、Ti/Al电极蒸镀及剥离即可获得IZO/In₂O₃NCs复合薄膜晶体管。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，将氧化铟纳米颗粒超声分散于乙二醇甲醚中作为母液。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，经过在大气环境中400 ℃热退火30min，得到非晶氧化铟锌/氧化铟纳米晶同质复合薄膜。