[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201110442876.8 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102568992A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 花冈秀敏 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够易于对处理的因作为被施加于上部电极的直流电压的地线的直流电压用接地构件的设置状态引起的偏差进行校正，从而能够高效地实施均匀的处理。该等离子体处理装置包括：高频电源，其用于对下部电极施加高频电力；直流电源，其用于对上部电极施加直流电压；直流电压用接地构件，其由导电性材料形成，整体形状形成为环状，以至少一部分暴露出到处理空间中的方式配置在处理腔室内，用于形成被施加于上部电极的直流电压的接地电位；多个上下运动机构，其能够通过使直流电压用接地构件上下运动来调整该直流电压用接地构件的接地状态。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其特征在于，该等离子体处理装置包括：处理腔室，其在内部形成处理空间；下部电极，其配置在上述处理腔室内，兼作为用于载置被处理基板的载置台；上部电极，其与上述下部电极相对地配置在上述处理腔室内；高频电源，其用于对上述下部电极施加高频电力；直流电源，其用于对上述上部电极施加直流电压；处理气体供给机构，其用于向上述处理空间中供给被等离子体化的处理气体；直流电压用接地构件，其由导电性材料形成，整体形状形成为环状，以至少一部分暴露出到上述处理空间中的方式配置在上述处理腔室内，用于形成被施加于上述上部电极的直流电压的接地电位；多个上下运动机构，其能够通过使上述直流电压用接地构件上下运动来调整该直流电压用接地构件的接地状态。
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