[发明专利]等离子体处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

以往，在半导体装置的制造工序中，使用使等离子体作用于配置在处理腔室内的载置台上的基板(例如半导体晶圆)来进行各种处理、例如蚀刻、成膜的等离子体处理装置。另外，作为这样的等离子体处理装置，公知有一种电容耦合型的等离子体处理装置，其中，与用于载置基板的载置台相对地在处理腔室的顶部等配置上部电极，从而构成与作为下部电极的载置台成对的对置电极。

作为上述电容耦合型的等离子体处理装置，公知有这样的构造的离子体处理装置：作为对上部电极和下部电极之间施加的高频电力，对作为下部电极的载置台施加频率比较高的等离子体生成用的第1高频电力和频率比第1高频电力的频率低的离子引入用的第2高频电力。

并且，也公知有以对下部电极施加高频电力、并对上部电极施加直流电压的方式构成的等离子体处理装置。另外，在这样对上部电极施加直流电压的等离子体处理装置中，在对高频电力的地线进行陶瓷涂敷等的情况下，需要另外设置用于构成直流电压的地线(ground)(接地电极)的直流电压用接地构件。因此，作为直流电压用接地构件，公知有以包围载置台周围的方式将导电性的环状构件、例如硅制的环状构件设置为该环状构件暴露出到处理腔室内。还公知有利用熔融接合等熔接多个圆弧状构件来构成该硅制的环状构件(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2010-114313号公报

如上所述，在以对下部电极施加高频电力、并对上部电极施加直流电压的方式构成的等离子体处理装置中，作为直流电压的地线起作用的直流电压用接地构件以暴露出到处理腔室内的方式设置。本发明人等详细调查之后可明确，在这样构成的等离子体处理装置中，由于作为直流电压用接地构件的导电性的环状构件等的设置状态的不同，有时基板的周向的处理均匀性恶化而处理产生偏差。这样的处理的由导电性的环状构件的设置状态引起的偏差必须通过将处理腔室暂且开放于大气并调节导电性的环状构件的设置状态来校正，该校正需要时间和劳动力，存在导致生产率降低这样的问题。

发明内容

本发明是应对上述以往的情况而做成的，其提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置能够易于对处理的因作为被施加于上部电极的直流电压的地线的直流电压用接地构件的设置状态引起的偏差进行校正，从而能够高效地实施均匀的处理。

本发明的等离子体处理装置的一实施方式的特征在于，该等离子体处理装置包括：处理腔室，其在内部形成处理空间；下部电极，其配置在上述处理腔室内，兼作为用于载置被处理基板的载置台；上部电极，其与上述下部电极相对地配置在上述处理腔室内；高频电源，其用于对上述下部电极施加高频电力；直流电源，其用于对上述上部电极施加直流电压；处理气体供给机构，其用于向上述处理空间中供给被等离子体化的处理气体；直流电压用接地构件，其由导电性材料形成，整体形状形成为环状，以至少一部分暴露出到上述处理空间中的方式配置在上述处理腔室内，用于形成被施加于上述上部电极的直流电压的接地电位；多个上下运动机构，其能够通过使上述直流电压用接地构件上下运动来调整该直流电压用接地构件的接地状态。

采用本发明，能够提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置能够易于对处理的因作为被施加于上部电极的直流电压的地线的直流电压用接地构件的设置状态引起的偏差进行校正，从而能够高效地实施均匀的处理。

附图说明

图1是示意地表示本发明的实施方式的等离子体蚀刻装置的概略结构的图。

图2是示意地表示图1中的等离子体蚀刻装置的主要部分结构的图。

图3是示意地表示图1中的等离子体蚀刻装置的主要部分结构的图。

图4的(a)～(c)是表示调查直流电压用接地构件的接地状态对处理的均匀性产生的影响而得到的结果的曲线图。

图5的(a)～(c)是表示调查直流电压用接地构件的接地状态对处理的均匀性产生的影响而得到的结果的曲线图。

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的实施方式。图1是表示作为本实施方式的等离子体处理装置的等离子体蚀刻装置10的概略结构的纵剖视图。

等离子体蚀刻装置10具有气密地构成且在内部形成处理空间PS的处理腔室11。该处理腔室11为圆筒状，由例如在表面形成有阳极氧化覆膜的铝等构成。在该处理腔室11内设有用于将作为被处理基板的半导体晶圆W水平支承的圆柱状的载置台12。