[发明专利]超高压锗硅HBT晶体管器件的结构及制备方法有效
| 申请号： | 201110440342.1 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102522425A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 董金珠;胡君;韩峰;刘冬华;石晶;段文婷;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超高压锗硅HBT晶体管器件的结构，包括衬底、两个P埋层、两个N埋层、浅沟槽隔离结构、集电区、锗硅基区、发射区、接触孔和深阱接触孔，N埋层分别连接在集电区两侧，并与深阱接触孔连接，以引出集电区；浅沟槽隔离结构中制作有与锗硅基区连接的多晶硅场板。本发明还公开了上述结构的锗硅HBT的制备方法。本发明通过在有源区两侧制作N型重掺杂赝埋层，在场氧区引入基区场板，并将集电区划分为轻掺杂和重掺杂区，通过深接触孔引出，不仅大大缩减了器件的尺寸，而且改善了集电区的电场分布，提高了BC结击穿电压，进而提高了锗硅HBT器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 超高压 hbt 晶体管 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
超高压锗硅HBT晶体管器件的结构，包括衬底、两个P埋层、集电区、锗硅基区和发射区，锗硅基区和发射区的电极通过接触孔引出；其特征在于，所述集电区两侧分别连接有一个N埋层，该N埋层位于P埋层旁，且该N埋层上连接有一个深阱接触孔；N埋层和P埋层上方有浅沟槽隔离结构，该浅沟槽隔离结构中包含有多晶硅场板，该多晶硅场板通过金属引线与锗硅基区连接。
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