[发明专利]超高压锗硅HBT晶体管器件的结构及制备方法

权利要求书

1.超高压锗硅HBT晶体管器件的结构，包括衬底、两个P埋层、集电区、锗硅基区和发射区，锗硅基区和发射区的电极通过接触孔引出；其特征在于，所述集电区两侧分别连接有一个N埋层，该N埋层位于P埋层旁，且该N埋层上连接有一个深阱接触孔；N埋层和P埋层上方有浅沟槽隔离结构，该浅沟槽隔离结构中包含有多晶硅场板，该多晶硅场板通过金属引线与锗硅基区连接。

2.根据权利要求1所述的超高压锗硅HBT晶体管器件的结构，其特征在于，在锗硅基区下方、两N埋层之间的倒T型集电区为N型轻掺杂区，其余集电区为N型重掺杂。

3.根据权利要求2所述的超高压锗硅HBT晶体管器件的结构，其特征在于，轻掺杂集电区的杂质离子浓度为1.0E11～1.0E13atoms/cm²，重掺杂集电区的杂质离子浓度为1.0E13～1.0E15atoms/cm²。

4.权利要求1所述结构的HBT晶体管器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)通过光刻和离子注入工艺，在衬底上形成N埋层和P埋层；

2)光刻浅槽隔离结构，并依次淀积底部隔离介质和掺杂多晶硅；

3)刻蚀多晶硅，形成多晶硅场板；

4)淀积隔离介质层，将多晶硅场板埋于隔离介质层内部；

5)通过离子注入工艺形成N型掺杂集电区；

6)依次淀积锗硅外延基区和N型掺杂的发射极多晶硅；

7)刻蚀接触孔，引出集电区、基区和发射区的电极。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤1)，所述N埋层中注入的是磷或砷，注入剂量为1E14～1E16cm^-2，注入能量为2～50KeV；所述P埋层中注入的是硼或氟化硼，注入剂量为1E14～1E16cm^-2，注入能量为2～30KeV。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤2)，所述多晶硅中掺杂的杂质的体浓度为1E18～1E21atoms/cm³。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤5)，在锗硅外延基区下方、两N埋层之间的倒T型集电区进行轻掺杂，其余集电区进行重掺杂。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，轻掺杂集电区的杂质离子注入剂量为1.0E11～1.0E13atoms/cm²，重掺杂集电区的杂质离子注入剂量为1.0E13～1.0E15atoms/cm²。

9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤6)，所述发射极多晶硅中的杂质浓度大于或等于2E15cm^-2。

10.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤7)，所述接触孔内生长有钛/氮化钛层，并填入了金属钨。