[发明专利]一种工业原子层沉积腔室结构无效
| 申请号: | 201110436247.4 | 申请日: | 2011-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN102534561A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
| 发明(设计)人: | 陶晓俊;万军;黄成强;饶志鹏;陈波;李超波;夏洋;江莹冰 | 申请(专利权)人: | 嘉兴科民电子设备技术有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
| 代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 赵芳;徐关寿 |
| 地址: | 314006 浙江省嘉兴市南*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 一种工业原子层沉积腔室结构,包括真空反应腔室,所述真空反应腔室上设有真空反应腔盖,所述真空反应腔室内安装有能放置多片样品的样品托架,所述真空反应腔室内在样品托架的外围设有对腔室加热的加热线圈,所述加热线圈靠近腔壁的一侧连接有反射热辐射的反光板;所述真空反应腔室在样品托架的中间安装有多根由高到低依次设置的竖直的进气支管,所述进气支管的上端管口是封闭的,其管口向下一段是对着样品吹扫的出气段,所述进气支管均与进气管连接;所述真空反应腔室的底部设有抽气口,所述真空反应腔室内在抽气口与样品托架之间安装有多孔抽气板。本发明的优点是大批量沉积生产薄膜,提高了产量,降低了薄膜的生产成本。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 工业 原子 沉积 结构 | ||
【主权项】:
一种工业原子层沉积腔室结构,包括真空反应腔室,所述真空反应腔室上设有真空反应腔盖,其特征在于:所述真空反应腔室内安装有能放置多片样品的样品托架,所述真空反应腔室内在样品托架的外围设有对腔室加热的加热线圈,所述加热线圈靠近腔壁的一侧连接有反射热辐射的反光板;所述真空反应腔室在样品托架的中间安装有多根由高到低依次设置的竖直的进气支管,所述进气支管的上端管口是封闭的,其管口向下一段是对着样品吹扫的出气段,所述进气支管均与进气管连接;所述真空反应腔室的底部设有抽气口,所述真空反应腔室内在抽气口与样品托架之间安装有多孔抽气板。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





