[发明专利]一种MEMS集成化方法有效
| 申请号： | 201110433579.7 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102515089A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 赵丹淇;张大成;杨芳;田大宇;刘鹏;王玮;李婷;罗葵 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS集成化方法，在基片上先刻蚀出MEMS区域凹槽，在凹槽以外的区域制作CMOS电路，完成除金属互连以外的所有IC工艺；然后淀积IC保护层，在凹槽内采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；再刻蚀形成IC区域的引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后用光刻胶保护凹槽以外的区域，去除牺牲层，释放MEMS可动结构，制得单片集成芯片。本发明采用MEMS-IC-MEMS交叉制作工艺完成MEMS和IC的单片集成，通过凹槽降低了MEMS结构和IC之间的高度差，减小了集成化工艺对光刻的压力，同时通过调整工艺顺序避免了金属脱落，提高了工艺质量和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 集成化 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS集成化方法，包括以下步骤：1)在基片上采用MEMS工艺光刻定义并刻蚀出MEMS区域凹槽；2)在凹槽以外的区域制作CMOS电路，完成除金属互连以外的所有IC工艺；3)淀积IC区域保护层；4)在凹槽内采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；5)刻蚀形成IC区域的引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；6)用光刻胶保护凹槽以外的区域，去除牺牲层，释放MEMS可动结构；7)去除光刻胶，制得单片集成芯片。
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