[发明专利]一种MEMS集成化方法

权利要求书

1.一种MEMS集成化方法，包括以下步骤：

1)在基片上采用MEMS工艺光刻定义并刻蚀出MEMS区域凹槽；

2)在凹槽以外的区域制作CMOS电路，完成除金属互连以外的所有IC工艺；

3)淀积IC区域保护层；

4)在凹槽内采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；

5)刻蚀形成IC区域的引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；

6)用光刻胶保护凹槽以外的区域，去除牺牲层，释放MEMS可动结构；

7)去除光刻胶，制得单片集成芯片。

2.如权利要求1所述的MEMS集成化方法，其特征在于，步骤1)所述基片为单晶硅片。

3.如权利要求1所述的MEMS集成化方法，其特征在于，步骤1)所述凹槽的深度为2μm。

4.如权利要求1所述的MEMS集成化方法，其特征在于，步骤3)低压化学气相淀积氧化硅和氮化硅作为保护层。

5.如权利要求1所述的MEMS集成化方法，其特征在于，步骤4)先淀积牺牲层并图形化牺牲层，将凹槽外的牺牲层全部去除后再淀积结构层并图形化结构层，得到MEMS结构。

6.如权利要求5所述的MEMS集成化方法，其特征在于，步骤4)所述牺牲层和结构层均采用低压化学气相淀积方法制备，所述牺牲层的材料为磷硅玻璃，所述结构层的材料为多晶硅。

7.如权利要求1所述的MEMS集成化方法，其特征在于，步骤5)在IC区域干法刻蚀保护层，形成引线孔。

8.如权利要求1所述的MEMS集成化方法，其特征在于，步骤5)中采用溅射或蒸发的方法淀积金属。

9.如权利要求1所述的MEMS集成化方法，其特征在于，步骤6)在整个基片上涂光刻胶，然后光刻，在凹槽以外的区域形成光刻胶保护层，其中光刻使用的光刻板是步骤1)所用的光刻板。

10.如权利要求1所述的MEMS集成化方法，其特征在于，步骤6)采用湿法腐蚀去除牺牲层。