[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法，在对硅片的背表面进行钝化处理工艺中，由于氧化铝具有固定的负电荷，因此能降低背表面的复合，同时因为氮化硅富含氢，因此能有效的实现钝化，另外氧化铝和氮化硅钝化叠层作为背反射器能大大提高长波光的吸收，钝化叠层介于背面电极和硅片间能大大降低晶体硅太阳能电池的翘曲度，而且能够有效降低对硅片中体少子寿命的影响；在制作背面电极时，由于腐蚀区域的腐蚀深度刚好去掉钝化叠层，因此能够有效地解决因硅片的背表面钝化后而引起的背面电极与硅片难以形成良好欧姆接触的问题，同时通过利用银线连接所有相邻的导电材料构成密集的网状结构，这种网状结构非常有利于硅片的背表面载流子的收集传导。

主权项

一种晶体硅太阳能电池的制备方法，按工艺线的生产顺序分为如下步骤：对硅片进行制绒；在硅片上扩散制作PN结；对硅片进行去边结处理；对硅片的表面进行钝化处理；制作正面电极和背面电极；烧结；其特征在于：采用13.56MHz的等离子体增强化学气相沉积工艺对硅片的两个表面进行双面钝化处理，具体处理过程为：1）采用13.56MHz的等离子体增强化学气相沉积工艺在经去边结处理后的硅片的背表面上镀设一层厚度为20～200nm的氧化铝薄膜；2）采用13.56MHz的等离子体增强化学气相沉积工艺对经去边结处理后的硅片的正表面通过通入高纯氨气进行表面钝化，实现正面钝化；3）采用13.56MHz的等离子体增强化学气相沉积工艺在氧化铝薄膜的下表面上镀设一层厚度为80～150nm的氮化硅薄膜，形成钝化叠层，实现背钝化；采用局部腐蚀和点接触方式制作背面电极，具体制作过程为：①以矩形阵列形式在硅片的背表面钝化处理后形成的钝化叠层上腐蚀出数量众多的腐蚀区域，腐蚀区域的深度为钝化叠层的厚度；②向所有腐蚀区域中填入导电材料；③采用银线连接所有相邻的两个腐蚀区域内的导电材料，形成银线网；④在钝化叠层的下表面的两侧区域上分别制作两个点状电极，并连接点状电极与银线网，构成背面电极。