[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池的制备方法，按工艺线的生产顺序分为如下步骤：对硅片进行制绒；在硅片上扩散制作PN结；对硅片进行去边结处理；对硅片的表面进行钝化处理；制作正面电极和背面电极；烧结；其特征在于：

采用13.56MHz的等离子体增强化学气相沉积工艺对硅片的两个表面进行双面钝化处理，具体处理过程为：1）采用13.56MHz的等离子体增强化学气相沉积工艺在经去边结处理后的硅片的背表面上镀设一层厚度为20～200nm的氧化铝薄膜；2）采用13.56MHz的等离子体增强化学气相沉积工艺对经去边结处理后的硅片的正表面通过通入高纯氨气进行表面钝化，实现正面钝化；3）采用13.56MHz的等离子体增强化学气相沉积工艺在氧化铝薄膜的下表面上镀设一层厚度为80～150nm的氮化硅薄膜，形成钝化叠层，实现背钝化；

采用局部腐蚀和点接触方式制作背面电极，具体制作过程为：①以矩形阵列形式在硅片的背表面钝化处理后形成的钝化叠层上腐蚀出数量众多的腐蚀区域，腐蚀区域的深度为钝化叠层的厚度；②向所有腐蚀区域中填入导电材料；③采用银线连接所有相邻的两个腐蚀区域内的导电材料，形成银线网；④在钝化叠层的下表面的两侧区域上分别制作两个点状电极，并连接点状电极与银线网，构成背面电极。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所述的步骤1）的工艺条件为：功率为3000W，真空度为1.5～1.8托，高纯氧气流量为3.7～4.7升/分钟，三甲基铝流量为0.42～0.47升/分钟，衬底温度为400～500℃，沉积时间由沉积氧化铝薄膜的速度而定，氧化铝薄膜的厚度为20～200nm；所述的步骤2）的工艺条件为：功率为2500W，真空度为1.5～1.8托，高纯氨气流量为4～6升/分钟，衬底温度为400～500℃，钝化时间为3～5分钟；所述的步骤3）的工艺条件为：功率为3500W，真空度为1.5～1.8托，高纯氨气流量为3～7升/分钟，硅烷流量为0.42～0.72升/分钟，衬底温度为420～480℃，沉积时间由沉积氮化硅薄膜的速度而定，氮化硅薄膜的厚度为80～150nm。

3.根据权利要求1或2所述的一种晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所述的腐蚀区域采用的腐蚀方式为化学腐蚀或物理腐蚀。

4.根据权利要求3所述的一种晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所述的化学腐蚀为采用浓硝酸与氢氟酸进行腐蚀，所述的物理腐蚀为采用激光进行刻蚀。

5.根据权利要求4所述的一种晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所有所述的腐蚀区域的大小和形状均相同。

6.根据权利要求5所述的一种晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所述的腐蚀区域的横截面的面积为1～10平方毫米，任意相邻的两个所述的腐蚀区域之间的间距相等，间距为1～5毫米。

7.根据权利要求6所述的一种晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所述的腐蚀区域的横截面的形状为圆形或者方形或者任意的不规则形状；所述的腐蚀区域的横截面的形状为圆形时，所述的腐蚀区域的直径为1～3毫米。

8.根据权利要求7所述的一种晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所述的导电材料为铝、银、氧化砷、氧化锌、氧化铟和其它导电材料中的一种或几种，所述的导电材料的填入方式采用注射或印刷方式。

9.根据权利要求8所述的一种晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所述的银线网的一侧的边缘连线的四分之一位置处和四分之三位置处通过连接用银线分别连接有一个所述的点状电极，所述的银线网的相对的另一侧的边缘连线的四分之一位置处和四分之三位置处通过连接用银线分别连接有一个所述的点状电极，四个所述的点状电极与所述的银线网相连接构成背面电极。

10.根据权利要求9所述的一种晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所述的银线、所述的连接用银线和所述的点状电极均采用印刷或溅射或喷涂银浆方式进行制备，所述的银线的宽度为50～80微米，所述的连接用银线的长度为3～5毫米，所述的点状电极的形状为正方形，边长为3～5毫米。