[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110424063.6 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102832246A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 郑振辉;黄立平;冯家馨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了一种集成电路(半导体)器件和用于制造集成电路器件的方法。所公开的器件包括：栅极结构，位于衬底上方并且限定衬底中的沟道区域；外延部件，具有在衬底中的第一掺杂剂；以及外延源极/漏极部件，具有在衬底中的第二掺杂剂。外延源极/漏极部件与外延部件相比较距离沟道区域更远。第二掺杂剂具有与第一掺杂剂相反的导电载流子类型。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底的上方，并且限定位于所述衬底中的沟道区域；外延部件，具有第一掺杂剂，所述第一掺杂剂位于所述衬底中，含有第一掺杂浓度，所述沟道区域插入所述外延部件中；以及外延源极/漏极部件，具有第二掺杂剂，所述第二掺杂剂位于所述衬底中，含有第二掺杂浓度，并且所述沟道区域插入所述外延源极/漏极部件中，其中，所述外延源极/漏极部件与所述外延部件相比较距离所述沟道区域更远，其中，所述第二掺杂剂具有与所述第一掺杂剂相反的导电载流子类型。
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