[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110424063.6 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102832246A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 郑振辉;黄立平;冯家馨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种器件，包括：
衬底；
栅极结构，位于所述衬底的上方，并且限定位于所述衬底中的沟道区域；
外延部件，具有第一掺杂剂，所述第一掺杂剂位于所述衬底中，含有第一掺杂浓度，所述沟道区域插入所述外延部件中；以及
外延源极/漏极部件，具有第二掺杂剂，所述第二掺杂剂位于所述衬底中，含有第二掺杂浓度，并且所述沟道区域插入所述外延源极/漏极部件中，其中，所述外延源极/漏极部件与所述外延部件相比较距离所述沟道区域更远，其中，所述第二掺杂剂具有与所述第一掺杂剂相反的导电载流子类型。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述外延部件为袋状(光环状)部件，该袋状部件包括围绕所述外延源极/漏极部件的层。
3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述层的厚度处于从约100埃至约400埃范围内。
4.根据权利要求2所述的器件，其中，所述层中的所述第一掺杂浓度是分等级的。
5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述外延部件为SiGe，所述第一掺杂剂为用于P沟道场效应晶体管器件的磷或砷。
6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述外延源极/漏极部件为SiGe，所述第二掺杂剂为用于P沟道场效应晶体管器件的硼或BF2。
7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述外延部件为Si或SiC，所述第一掺杂剂为用于N沟道场效应晶体管器件的硼或BF2。
8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述外延源极/漏极部件为Si或者SiC，所述第二掺杂剂为用于N沟道场效应晶体管器件的磷或砷。
9.一种晶体管，包括：
半导体衬底；
栅极结构，位于所述半导体衬底的上方，并且限定所述衬底中的沟道区域；
栅极隔离件，与所述栅极结构的相对侧壁邻近；
袋状部件，位于所述衬底中，通过所述沟道区域分离所述袋状部件，其中，所述袋状部件包括第一掺杂剂；
源极/漏极部件，通过所述沟道区域分离所述源极/漏极部件，并且通过所述袋状部件围绕所述源极/漏极部件，其中，所述源极/漏极部件包括第二掺杂剂，所述第二掺杂剂的导电载流子类型与所述第一掺杂剂的导电载流子类型相反；以及
接触部件，位于所述源极/漏极部件的上方。
10.一种方法，包括：
在半导体衬底的上方形成栅极结构，所述栅极结构限定所述半导体衬底中的沟道区域；
形成与所述栅极结构的相对侧壁邻近的隔离件；
在所述半导体衬底中形成沟槽，所述沟道区域插入所述沟槽中；
在所述沟槽中外延生长第一半导体层，其中，所述第一半导体层具有第一掺杂浓度的第一掺杂剂；以及
在所述第一半导体层的上方外延生长第二半导体层，所述第二半导体层具有第二掺杂浓度的第二掺杂剂，其中，所述第二掺杂剂的导电载流子类型与所述第一掺杂剂的导电载流子类型相反。
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