[发明专利]一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明在顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备过程中，将沟道区、栅介质层和栅电极层一起剥离，工艺步骤简单，且沟道层、栅绝缘介质层和栅电极层这三层是在真空条件下连续生长的，节约制造成本，且减小了空气、灰尘等外界杂质对各层薄膜的污染，有效提高氧化锌薄膜晶体管器件的性能。

主权项

一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：1)在玻璃衬底上生长透明导电薄膜，然后光刻和剥离，形成源、漏电极；2)甩一层光刻胶，光刻显影，形成沟道区，沟道区内无光刻胶，其余区域被光刻胶覆盖，沟道区与源漏电极相交叠；3)生长一层氧化物半导体层作为沟道层；4)生长一层绝缘介质材料作为栅介质层；5)生长一层导电薄膜作为栅电极，6)将氧化物半导体、绝缘介质材料和导电薄膜一起剥离，形成沟道、栅介质和栅电极；7)生长一层钝化介质层，光刻和刻蚀形成栅、源和漏的引出孔；8)生长一层金属薄膜，光刻和刻蚀形成金属电极和互连。