[发明专利]一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：

1)在玻璃衬底上生长透明导电薄膜，然后光刻和剥离，形成源、漏电极；

2)甩一层光刻胶，光刻显影，形成沟道区，沟道区内无光刻胶，其余区域被光刻胶覆盖，沟道区与源漏电极相交叠；

3)生长一层氧化物半导体层作为沟道层；

4)生长一层绝缘介质材料作为栅介质层；

5)生长一层导电薄膜作为栅电极，

6)将氧化物半导体、绝缘介质材料和导电薄膜一起剥离，形成沟道、栅介质和栅电极；

7)生长一层钝化介质层，光刻和刻蚀形成栅、源和漏的引出孔；

8)生长一层金属薄膜，光刻和刻蚀形成金属电极和互连。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1)中，生长的导电薄膜由透明导电材料ITO形成。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3)中，生长的氧化物半导体层采用氧化锌及其掺杂半导体材料。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4)中，生长的绝缘介质材料层由氧化铝、二氧化硅、氮化硅或者高介电常数绝缘材料形成。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤5)中，生长的导电薄膜为透明导电材料。