[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其制作方法，该晶体管包括：形成在半导体衬底上的鳍；第一栅极、第二栅极，第一栅极、第二栅极分别位于鳍的两侧，鳍的位于第一栅极、第二栅极之间的部分作为鳍式场效应晶体管的沟道，鳍的沟道以外的部分作为鳍式场效应晶体管的源极、漏极，第一栅极、第二栅极分别与源极、漏极构成具有不同阈值电压的第一晶体管、第二晶体管。当上述晶体管应用在静态随机存储器中时，且当存储器处于工作状态时，可控制整个晶体管的阈值电压处于较小值，以获得较佳的运算速度；当存储器处于闲置状态时，可控制整个晶体管的阈值电压处于较大值，以减小晶体管中漏电流的产生，降低静存储器的功率损耗。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍，所述鳍沿着平行于半导体衬底表面的方向延伸；在形成有鳍的半导体衬底上沉积栅极材料层，去除部分所述栅极材料层以形成栅极，所述栅极由第一栅极、第二栅极、第三栅极三部分组成，所述第一栅极、第二栅极分别位于所述鳍的两侧，所述第三栅极位于所述鳍的顶部，所述鳍的位于所述第三栅极下方的部分作为所述鳍式场效应晶体管的沟道，所述鳍的沟道以外的部分作为所述鳍式场效应晶体管的源极、漏极，所述第一栅极、第二栅极分别与所述源极、漏极构成第一晶体管、第二晶体管，所述第一晶体管、第二晶体管的阈值电压不同；在形成有栅极的半导体衬底上沉积层间介质层，去除位于所述鳍上方的层间介质层及第三栅极，直至所述鳍露出，以在所述鳍的两侧形成两个独立的第一栅极、第二栅极。