[发明专利]利用均匀氧化物层形成于晶体管中的嵌埋Σ形半导体合金有效
| 申请号： | 201110421501.3 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102569195A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | S·克朗霍尔兹;A·奥特;I·奥斯特迈 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司;格罗方德半导体德累斯顿第一模数有限责任及两合公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在腔穴蚀刻前利用均匀氧化物层形成于晶体管中的嵌埋∑形半导体合金，在形成需要嵌埋半导体合金的精密晶体管时，例如，藉由提供均匀氧化物层以便减少与制程有关的波动或等候时间变异，基于结晶非等向性蚀刻步骤，可形成有优越均匀性的腔穴。基于APC控制方案，可形成该均匀氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 均匀 氧化物 形成 晶体管 中的 半导体 合金 | ||
【主权项】：
一种方法，其系包含下列步骤：基于氧化物层的预定义目标厚度，在一作用区的数个暴露表面区上形成该氧化物层，该作用区已有一栅极结构形成于其上；执行由数个湿化学蚀刻制程组成的一顺序以便移除该氧化物层以及在该作用区中形成一腔穴；在该腔穴中形成一半导体材料；以及在该作用区中形成汲极/源极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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