[发明专利]一种离子束和电子束调制开关的制作方法无效
| 申请号： | 201110418692.8 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102556947A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王文辉;杨忠钰;施林伟;李维;邓江东 | 申请（专利权）人： | 深圳市盛喜路科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区彩田路西红荔路*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子束和电子束调制开关的制作方法，其包括如下步骤：S101：准备衬底，其中衬底包括衬底层、绝缘层和高掺杂硅层；S102：在高掺杂硅层的正面涂上一层光刻胶层；S103：在光刻胶层上光刻出电极图形；S104：将电极图形通过腐蚀的方法转移到高掺杂硅层上，制作出梳状电极；S105：去除高掺杂硅层正面上的光刻胶层，并将衬底翻转，并在衬底层底面上涂上一层光刻胶层；S106：在光刻胶层上光刻出衬底层背面开口图形；S107：腐蚀衬底层，制作出衬底层背面开口；S108：将绝缘层腐蚀掉，释放梳状电极；S109：将衬底翻转，并在梳状电极上选定区域进行选择性蒸镀金属；S110：完成调制开关的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子束 电子束 调制 开关 制作方法 | ||
【主权项】：
一种离子束和电子束调制开关的制作方法，其包括如下步骤：S101：准备衬底，其中该衬底包括衬底层、绝缘层和高掺杂硅层，其中所述绝缘层设置在所述衬底层和所述高掺杂硅层之间；S102：在所述高掺杂硅层的正面涂上一层光刻胶层；S103：在所述光刻胶层上光刻出电极图形；S104：将所述电极图形通过腐蚀的方法转移到所述高掺杂硅层上，制作出梳状电极；S105：去除所述高掺杂硅层正面上的光刻胶层，并将所述衬底翻转，并在衬底层底面上涂上一层光刻胶层；S106：在所述光刻胶层上光刻出衬底层背面开口图形；S107：腐蚀所述衬底层，制作出衬底层背面开口；S108：将所述绝缘层腐蚀掉，释放梳状电极；S109：将所述衬底翻转，并在所述梳状电极上选定区域进行选择性蒸镀金属；S110：完成调制开关的制作。
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