[发明专利]一种离子束和电子束调制开关的制作方法无效
| 申请号： | 201110418692.8 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102556947A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王文辉;杨忠钰;施林伟;李维;邓江东 | 申请（专利权）人： | 深圳市盛喜路科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区彩田路西红荔路*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子束 电子束 调制 开关 制作方法 | ||
1.一种离子束和电子束调制开关的制作方法，其包括如下步骤：
S101：准备衬底，其中该衬底包括衬底层、绝缘层和高掺杂硅层，其中所述绝缘层设置在所述衬底层和所述高掺杂硅层之间；
S102：在所述高掺杂硅层的正面涂上一层光刻胶层；
S103：在所述光刻胶层上光刻出电极图形；
S104：将所述电极图形通过腐蚀的方法转移到所述高掺杂硅层上，制作出梳状电极；
S105：去除所述高掺杂硅层正面上的光刻胶层，并将所述衬底翻转，并在衬底层底面上涂上一层光刻胶层；
S106：在所述光刻胶层上光刻出衬底层背面开口图形；
S107：腐蚀所述衬底层，制作出衬底层背面开口；
S108：将所述绝缘层腐蚀掉，释放梳状电极；
S109：将所述衬底翻转，并在所述梳状电极上选定区域进行选择性蒸镀金属；
S110：完成调制开关的制作。
2.根据权利要求1所述的一种调制开关的制作方法，其特征在于：上述步骤S109采用遮挡掩模的方法对梳状电极上选定区域进行选择性蒸镀金属。
3.根据权利要求1所述的一种调制开关的制作方法，其特征在于：所述梳状电极中的多个电极相互平行，且每两个相邻的电极之间的最小距离为5微米。
4.根据权利要求1所述的一种调制开关的制作方法，其特征在于：所述梳状电极的所有电极在同一个平面内。
5.根据权利要求1所述的一种调制开关的制作方法，其特征在于：所述绝缘层为氧化硅层。
6.根据权利要求1所述的一种调制开关的制作方法，其特征在于：所述衬底层为硅衬底层。
7.根据权利要求1所述的一种调制开关的制作方法，其特征在于：在步骤S104和步骤S107中，在光刻胶层和所要腐蚀的目标层之间可以增加一层过渡层，在完成所述光刻层胶层的图形制作后，先通过腐蚀的方法将所述图形转移到所述过渡层上，然后再用所述过渡层或所述过渡层与所述光刻胶的组合做掩模，腐蚀所述目标层。
8.根据权利要求1所述的一种调制开关的制作方法，其特征在于：淀积在梳妆电极上的金属为性质稳定的金属。
9.根据权利要求8所述的一种调制开关的制作方法，其特征在于：所述金属为金。
10.根据权利要求7所述的一种调制开关的制作方法，其特征在于：所述过渡层为氧化硅。
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