[发明专利]气体放电器件介质保护膜、其成膜材料及包括其的等离子显示屏无效
| 申请号： | 201110418397.2 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102496550A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 严群;邢芳丽;张鑫 | 申请（专利权）人： | 四川虹欧显示器件有限公司 |
| 主分类号： | H01J11/40 | 分类号： | H01J11/40;H01J11/10 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;余刚 |
| 地址： | 621000 四川省绵阳市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种气体放电器件介质保护膜、其成膜材料及包括其的等离子显示屏。该成膜材料由MgO和掺杂物质MO组成，其中，掺杂元素M与Mg元素的摩尔比为x∶(1-x)，0.05≤x≤0.5，掺杂元素的离子半径与Mg2+半径相当。本发明中的介质保护膜，由于MgO中掺入离子半径与Mg2+半径相当的掺杂元素，提高了表面价带能级上限，使禁带宽度变窄，从而使得包括该介质保护膜的气体放电器件放电单元中的Xe离子的二次电子发射系数提高，达到了降低高Xe含量放电气体下PDP屏着火电压的目的，从而降低了PDP屏的功耗，提高了其亮度和光效。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 放电 器件 介质 保护膜 材料 包括 等离子 显示屏 | ||
【主权项】：
一种气体放电器件介质保护膜的成膜材料，其特征在于，由MgO和掺杂物质MO组成，其中，掺杂元素M与Mg元素的摩尔比为x∶(1‑x)，0.05≤x≤0.5，所述掺杂元素的离子半径与Mg2+半径相当。
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