[发明专利]气体放电器件介质保护膜、其成膜材料及包括其的等离子显示屏

权利要求书

1.一种气体放电器件介质保护膜的成膜材料，其特征在于，由MgO和掺杂物质MO组成，其中，掺杂元素M与Mg元素的摩尔比为x∶(1-x)，0.05≤x≤0.5，所述掺杂元素的离子半径与Mg²⁺半径相当。

2.根据权利要求1所述的成膜材料，其特征在于，所述成膜材料是固溶体氧化物M_xMg_1-xO。

3.根据权利要求1所述的成膜材料，其特征在于，所述掺杂元素为Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ba、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、Ta、W、Pt、Au、Tl、Bi、Po、Np组成的组中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的成膜材料，其特征在于，所述掺杂元素为Ca、Sr、Ba、Ce、Zn组成的组中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的成膜材料，其特征在于，所述掺杂元素为Ca和/或Ce。

6.根据权利要求5所述的成膜材料，其特征在于，所述掺杂物质为摩尔百分含量为10％-50％的CaO或摩尔百分含量为5％-20％的CeO₂。

7.一种气体放电器件介质保护膜，其特征在于，将权利要求1-6中任一项所述的成膜材料通过电子束蒸镀、离子镀、溅射或化学气相沉积法形成所述气体放电器件介质保护膜。

8.根据权利要求7所述的介质保护膜，其特征在于，所述气体放电器件介质保护膜的厚度为10nm～10000nm。

9.根据权利要求8所述的介质保护膜，其特征在于，所述气体放电器件介质保护膜的厚度为500nm～1000nm。

10.一种等离子显示屏，包括：

上基板；

PDP放电电极，沿所述上基板下表面延伸；

介质层、介质保护膜依次覆盖在所述上基板及所述PDP放电电极上；以及

下基板，其上设置有与所述PDP放电电极垂直设置的寻址电极、与所述寻址电极平行设置的障壁和荧光粉，所述上基板或下基板的边缘涂覆有低熔点玻璃作为封接材料，所述下基板与所述上基板相对封接形成多个放电单元；

其特征在于，所述介质保护膜是如权利要求7-9中任一项所述的介质保护膜。

11.根据权利要求10所述的气体放电器件，其特征在于，所述放电单元内的放电气体由体积百分含量为15％-100％的Xe以及余量的Ne、Ar、Kr、N₂组成的组中的一种或多种。