[发明专利]使用氧化物半导体的器件、显示装置、和电子设备有效
| 申请号： | 201110415692.2 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102544064A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 三并彻雄;内野胜秀 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/768;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 这里公开了使用氧化物半导体的器件、显示装置、和电子设备，其中所述使用氧化物半导体的器件包括：电路部分，其被配置为包括使用氧化物半导体作为沟道材料的薄膜晶体管，其中，该电路部分具有下部互连线、上部互连线、以及层间绝缘膜，该层间绝缘膜包括氧化物半导体层和沟道保护层，该沟道保护层被插入在对应于下部互连线的厚度的氧化物半导体层的上升部分的外围表面和上部互连线之间。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 氧化物 半导体 器件 显示装置 电子设备 | ||
【主权项】：
一种使用氧化物半导体的器件，该器件包括：电路部分，其被配置为包括使用氧化物半导体作为沟道材料的薄膜晶体管，其中，该电路部分具有以与薄膜晶体管的栅极电极的工艺相同的工艺形成的下部互连线，与该下部互连线交叉的上部互连线，以及在下部互连线和上部互连线之间提供的层间绝缘膜，该层间绝缘膜包括氧化物半导体层，以及沟道保护层，以与薄膜晶体管的沟道层和沟道保护层的工艺相同的工艺，在其间具有栅极绝缘膜的情况下在下部互连线上堆叠该氧化物半导体层和沟道保护层，以及所述沟道保护层被插入在与下部互连线的厚度相对应的氧化物半导体层的上升部分的外围表面和上部互连线之间。
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