[发明专利]使用氧化物半导体的器件、显示装置、和电子设备有效
| 申请号： | 201110415692.2 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102544064A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 三并彻雄;内野胜秀 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/768;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 氧化物 半导体 器件 显示装置 电子设备 | ||
1.一种使用氧化物半导体的器件，该器件包括：
电路部分，其被配置为包括使用氧化物半导体作为沟道材料的薄膜晶体管，其中，
该电路部分具有
以与薄膜晶体管的栅极电极的工艺相同的工艺形成的下部互连线，
与该下部互连线交叉的上部互连线，以及
在下部互连线和上部互连线之间提供的层间绝缘膜，
该层间绝缘膜包括
氧化物半导体层，以及
沟道保护层，
以与薄膜晶体管的沟道层和沟道保护层的工艺相同的工艺，在其间具有栅极绝缘膜的情况下在下部互连线上堆叠该氧化物半导体层和沟道保护层，以及
所述沟道保护层被插入在与下部互连线的厚度相对应的氧化物半导体层的上升部分的外围表面和上部互连线之间。
2.如权利要求1所述的使用氧化物半导体的器件，其中，
氧化物半导体层的外端与上部互连线电短路。
3.如权利要求2所述的使用氧化物半导体的器件，其中，
氧化物半导体层的外端存在于与沟道保护层的外端的外围位置相同的外围位置处。
4.如权利要求1所述的使用氧化物半导体的器件，其中，
氧化物半导体层的外端与上部互连线电绝缘。
5.一种使用氧化物半导体的器件，该器件包括：
电路部分，其被配置为包括使用氧化物半导体作为沟道材料的薄膜晶体管，其中，
该电路部分具有
以与薄膜晶体管的栅极电极的工艺相同的工艺形成的下部互连线，
与该下部互连线交叉的上部互连线，以及
在下部互连线和上部互连线之间提供的层间绝缘膜，
该层间绝缘膜是这样形成的：以与薄膜晶体管的沟道层和沟道保护层的工艺相同的工艺，在其间具有栅极绝缘膜的情况下在下部互连线上堆叠氧化物半导体层和沟道保护层，并且在堆叠之后移除氧化物半导体层。
6.一种使用氧化物半导体的器件，该器件包括：
电路部分，其被配置为包括薄膜晶体管，其中，
该电路部分具有
通过使用与薄膜晶体管的栅极电极的工艺相同的工艺形成的下部互连线，
与该下部互连线交叉的上部互连线，以及
在下部互连线和上部互连线之间提供的层间绝缘膜，
该层间绝缘膜包括
氧化物半导体层，以及
保护层，
通过使用与薄膜晶体管的沟道层和沟道保护层的工艺相同的工艺，在其间具有栅极绝缘膜的情况下在下部互连线上堆叠该氧化物半导体层和保护层，以及
该保护层被插入在氧化物半导体层的上升部分的外围表面和上部互连线之间。
7.一种显示装置，包括：
像素阵列部分，其被配置为通过布置每个包括电光元件的像素而形成；以及
电路部分，其被配置为包括使用氧化物半导体作为沟道材料的薄膜晶体管，其中，
该电路部分具有
以与薄膜晶体管的栅极电极的工艺相同的工艺形成的下部互连线，
与该下部互连线交叉的上部互连线，以及
在下部互连线和上部互连线之间提供的层间绝缘膜，
该层间绝缘膜包括
氧化物半导体层，以及
沟道保护层，
以与薄膜晶体管的沟道层和沟道保护层的工艺相同的工艺，在其间具有栅极绝缘膜的情况下在下部互连线上堆叠该氧化物半导体层和沟道保护层，以及
沟道保护层被插入在与下部互连线的厚度相对应的氧化物半导体层的上升部分的外围表面和上部互连线之间。
8.如权利要求6所述的显示装置，其中，
该电路部分被安装在与像素阵列部分的基板相同的基板上。
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