[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201110413991.2 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102779828A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 郑星雄 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器件，包括：隔离层，所述隔离层形成在衬底中并且限定有源区；沟槽，所述沟槽形成在衬底中并且将有源区的一部分限定为有源柱；字线，所述字线形成在沟槽的内部；子源线，所述子源线形成在沟槽之下并且与字线相交叉；主源线，所述主源线形成在衬底之上、与子源线耦接、并且与字线相交叉；可变电阻器图案，所述可变电阻器图案形成在有源柱之上；以及位线，所述位线与可变电阻器图案接触并且与字线相交叉。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：隔离层，所述隔离层形成在衬底中并且限定有源区；沟槽，所述沟槽形成在所述衬底中并且将所述有源区的一部分限定为有源柱；字线，所述字线形成在所述沟槽内部；子源线，所述子源线形成在所述沟槽之下并且与所述字线相交叉；主源线，所述主源线形成在所述衬底之上、与所述子源线耦接、并且与所述字线相交叉；可变电阻器图案，所述可变电阻器图案形成在所述有源柱之上；以及位线，所述位线与所述可变电阻器图案接触并且与所述字线相交叉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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