[发明专利]接触窗开口的形成方法无效
| 申请号: | 201110412986.X | 申请日: | 2011-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN103137552A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
| 发明(设计)人: | 蔡孟峰;张宜翔;林嘉祺;陈奕炘;吴家铭 | 申请(专利权)人: | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明公开一种接触窗开口的形成方法,其包括下列步骤。首先,提供基底,基底包括密集区与独立区。接着,在基底上形成材料层。然后,在密集区中的材料层上形成多个牺牲图案,且在相邻两个牺牲图案之间具有第一开口。接下来,在各牺牲图案两侧分别形成间隙壁,且间隙壁彼此分离设置。之后,移除牺牲图案,而于相邻两个间隙壁之间形成第二开口。再者,形成填满第二开口的平坦层。随后,在平坦层中形成第一狭缝,第一狭缝暴露出位于第二开口下方的部分材料层。继之,移除由第一狭缝所暴露出的部分材料层,而在材料层中形成多个第三开口。 | ||
| 搜索关键词: | 接触 开口 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种接触窗开口的形成方法,包括:提供一基底,该基底包括一密集区与一独立区;在该基底上形成一材料层;在该密集区中的该材料层上形成多个牺牲图案,且在相邻两个牺牲图案之间具有一第一开口;在各该牺牲图案两侧分别形成一间隙壁,且该些间隙壁彼此分离设置;移除该些牺牲图案,而在相邻两个间隙壁之间形成一第二开口;形成填满该些第二开口的一平坦层;在该平坦层中形成一第一狭缝,该第一狭缝暴露出位于该些第二开口下方的部分该材料层;以及移除由该第一狭缝所暴露出的部分该材料层,而在该材料层中形成多个第三开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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