[发明专利]接触窗开口的形成方法无效

专利信息
申请号: 201110412986.X 申请日: 2011-12-13
公开(公告)号: CN103137552A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 蔡孟峰;张宜翔;林嘉祺;陈奕炘;吴家铭 申请(专利权)人: 力晶科技股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种接触窗开口的形成方法,其包括下列步骤。首先,提供基底,基底包括密集区与独立区。接着,在基底上形成材料层。然后,在密集区中的材料层上形成多个牺牲图案,且在相邻两个牺牲图案之间具有第一开口。接下来,在各牺牲图案两侧分别形成间隙壁,且间隙壁彼此分离设置。之后,移除牺牲图案,而于相邻两个间隙壁之间形成第二开口。再者,形成填满第二开口的平坦层。随后,在平坦层中形成第一狭缝,第一狭缝暴露出位于第二开口下方的部分材料层。继之,移除由第一狭缝所暴露出的部分材料层,而在材料层中形成多个第三开口。
搜索关键词: 接触 开口 形成 方法
【主权项】:
一种接触窗开口的形成方法,包括:提供一基底,该基底包括一密集区与一独立区;在该基底上形成一材料层;在该密集区中的该材料层上形成多个牺牲图案,且在相邻两个牺牲图案之间具有一第一开口;在各该牺牲图案两侧分别形成一间隙壁,且该些间隙壁彼此分离设置;移除该些牺牲图案,而在相邻两个间隙壁之间形成一第二开口;形成填满该些第二开口的一平坦层;在该平坦层中形成一第一狭缝,该第一狭缝暴露出位于该些第二开口下方的部分该材料层;以及移除由该第一狭缝所暴露出的部分该材料层,而在该材料层中形成多个第三开口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶科技股份有限公司,未经力晶科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110412986.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top