[发明专利]接触窗开口的形成方法无效
| 申请号: | 201110412986.X | 申请日: | 2011-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN103137552A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
| 发明(设计)人: | 蔡孟峰;张宜翔;林嘉祺;陈奕炘;吴家铭 | 申请(专利权)人: | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 接触 开口 形成 方法 | ||
1.一种接触窗开口的形成方法,包括:
提供一基底,该基底包括一密集区与一独立区;
在该基底上形成一材料层;
在该密集区中的该材料层上形成多个牺牲图案,且在相邻两个牺牲图案之间具有一第一开口;
在各该牺牲图案两侧分别形成一间隙壁,且该些间隙壁彼此分离设置;
移除该些牺牲图案,而在相邻两个间隙壁之间形成一第二开口;
形成填满该些第二开口的一平坦层;
在该平坦层中形成一第一狭缝,该第一狭缝暴露出位于该些第二开口下方的部分该材料层;以及
移除由该第一狭缝所暴露出的部分该材料层,而在该材料层中形成多个第三开口。
2.如权利要求1所述的接触窗开口的形成方法,其中在该平坦层中形成该第一狭缝的方法包括:
在该平坦层上形成一第一图案化光致抗蚀剂层,该第一图案化光致抗蚀剂层中具有一第二狭缝与一第四开口,其中该第二狭缝暴露出该密集区中的部分该平坦层,且该第四开口暴露出该独立区中的部分该平坦层;以及
以该第一图案化光致抗蚀剂层为掩模,移除由该第二狭缝与该第四开口所暴露出的部分该平坦层,而分别在该密集区的该平坦层中形成该第一狭缝且在该独立区的该平坦层中形成一第五开口。
3.如权利要求2所述的接触窗开口的形成方法,其中在形成该第一图案化光致抗蚀剂层之后,且在移除部分该平坦层之前,还包括对该第四开口进行一微缩制作工艺。
4.如权利要求3所述的接触窗开口的形成方法,其中该微缩制作工艺包括化学性微缩增强光刻分辨率制作工艺、光致抗蚀剂膨胀制作工艺或低温薄膜制作工艺。
5.如权利要求3所述的接触窗开口的形成方法,其中在移除由该第一狭缝所暴露出的部分该材料层的同时,移除由该第五开口所暴露出的部分该材料层,而在该材料层中形成一第六开口。
6.如权利要求5所述的接触窗开口的形成方法,其中该第六开口的宽度为光刻制作工艺的最小线宽的一半。
7.如权利要求1所述的接触窗开口的形成方法,其中在形成该材料层之后,且在形成该些牺牲图案之前,还包括在该材料层上形成一硬掩模层。
8.如权利要求7所述的接触窗开口的形成方法,还包括将该些第二开口延伸于该硬掩模层中。
9.如权利要求1所述的接触窗开口的形成方法,其中在形成该材料层之后,且在形成该些牺牲图案之前,还包括在该材料层上形成一硬掩模层结构。
10.如权利要求9所述的接触窗开口的形成方法,还包括在该硬掩模层结构中形成用以形成该些第三开口的多个第七开口。
11.如权利要求9所述的接触窗开口的形成方法,其中该硬掩模层结构包括单层硬掩模层或多层硬掩模层。
12.如权利要求1所述的接触窗开口的形成方法,其中该些牺牲图案的形成方法包括:
在该材料层上形成一牺牲图案层;
在该牺牲图案层上形成一第二图案化光致抗蚀剂层;以及
以该第二图案化光致抗蚀剂层为掩模,移除部分牺牲图案层。
13.如权利要求12所述的接触窗开口的形成方法,其中该第二图案化光致抗蚀剂层的线宽线距比为1∶1。
14.如权利要求12所述的接触窗开口的形成方法,还包括对该第二图案化光致抗蚀剂层进行一修剪制作工艺。
15.如权利要求14所述的接触窗开口的形成方法,其中经修剪后的该第二图案化光致抗蚀剂层的线宽线距比为大于1∶1且小于等于1∶3。
16.如权利要求12所述的接触窗开口的形成方法,其中在形成该牺牲图案层之后,且在形成该第二图案化光致抗蚀剂层之前,还包括在该牺牲图案层上形成一底抗反射层。
17.如权利要求1所述的接触窗开口的形成方法,其中各该第三开口的宽度为光刻制作工艺的最小线宽的一半。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





