[发明专利]静电放电保护电路

摘要

本发明提供具有静电放电(ESD)保护电路的集成电路。ESD保护电路不包括多晶硅电阻。ESD保护电路可包括n沟道晶体管，其在输出节点与接地端子之间并联连接，其中输出节点连接至输入/输出引脚。n沟道晶体管可每个都具有漏极端子和源极端子，前者通过第一金属路径耦合至输出节点，后者通过第二金属路径耦合至接地端子。可在各自的n沟道晶体管的栅极端子之上布线第一和第二金属路径，从而提供足够的电阻。第一和第二金属路径可在ESD保护电路中提供期望的下拉电阻，以便ESD电路能够降低通过每个n沟道晶体管的足够电流，从而保护内部电路在ESD事件中不受损害。

主权项

静电放电保护电路，其包含：晶体管，其具有形成在衬底上的源极区域、漏极区域以及栅极区域；第一多个导电带，其每个都连接至所述漏极区域，并且其每个都穿过至少一些所述源极区域、所述漏极区域和所述栅极区域；第二多个导电带，其与所述第一多个导电带交错，其中所述第二多个导电带中的每个都连接至所述源极区域，并且所述第二多个导电带中的每个都穿过至少一些所述源极区域、所述漏极区域以及所述栅极区域；以及形成在所述衬底上的介质叠，其中所述介质叠包括交替金属布线层和通孔层，并且其中所述第一多个导电带和所述第二多个导电带形成在所述介质叠中的相同金属布线层中。