[发明专利]一种改善相变材料抛光后表面质量的抛光液有效
| 申请号： | 201110411337.8 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN102516878A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 王良咏;刘卫丽;宋志棠;刘波;钟旻 | 申请（专利权）人： | 上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09K5/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 201506 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于相变存储器的化学机械抛光液，包括抛光颗粒、氧化剂、表面改善剂和水性介质；以所述抛光液总重量为基准计，所述抛光颗粒的含量为0.1-30wt%，所述氧化剂的含量为0.01-10wt%，所述表面改善剂的含量为0.0001-5wt%。通过本发明提供的上述抛光液，对相变存储器件做抛光处理，可显著改善抛光后相变材料表面质量，实现对小于1nm的低表面粗糙度和微缺陷(腐蚀坑、残留、划痕和抛光雾等)的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 相变 材料 抛光 表面 质量 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的化学机械抛光液，包括抛光颗粒、氧化剂、表面改善剂和水性介质；以所述抛光液总重量为基准计，所述抛光颗粒的含量为0.1‑30wt％，所述氧化剂的含量为0.01‑10wt％，所述表面改善剂的含量为0.0001‑5wt％。
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