[发明专利]一种AlZnO紫外光电阴极材料及紫外真空像增强器无效
申请号: | 201110408087.2 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN102403048A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 邓宏;韦敏;邓雪然 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01B1/20 | 分类号: | H01B1/20;H01B1/22;H01J31/50;H01J29/04 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种AlZnO紫外光电阴极材料及紫外真空像增强器,属于电子材料与元器件技术领域。本发明采用采用沉积于透紫衬底基片上的高导电AlyZn1-yO1+0.5y(y≤0.02)薄膜作为透明底电极,并在透明底电极上诱导生长AlxZn1-xO1+0.5x(0.2≤x≤0.7)合金薄膜材料作为紫外光电阴极材料,该紫外光电阴极材料对紫外光敏感,通过严格控制材料组分可实现光学吸收边蓝移至300nm以内,从而满足紫外光日盲区探测要求,且具有制备方法简单、成本较低、无毒环保的特点。本发明同时提供一种紫外真空像增强器,该紫外真空像增强器以本发明提供的AlZnO紫外光电阴极材料作为阴极,具有良好的紫外光电发射性能,能够满足紫外探测并实现紫外日盲区的探测要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 alzno 紫外 光电 阴极 材料 真空 增强 | ||
【主权项】:
一种AlZnO紫外光电阴极材料,包括透紫衬底基片、沉积于透紫衬底基片表面的透明氧化物底电极和沉积于透明氧化物底电极表面的AlZnO合金薄膜;所述透明氧化物底电极为AlyZn1‑yO1+0.5y薄膜,其中y≤0.02;所述AlZnO合金薄膜的化学式为AlxZn1‑xO1+0.5x,其中0.2≤x≤0.7。
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