[发明专利]一种AlZnO紫外光电阴极材料及紫外真空像增强器无效
申请号: | 201110408087.2 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN102403048A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 邓宏;韦敏;邓雪然 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01B1/20 | 分类号: | H01B1/20;H01B1/22;H01J31/50;H01J29/04 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 alzno 紫外 光电 阴极 材料 真空 增强 | ||
1.一种AlZnO紫外光电阴极材料,包括透紫衬底基片、沉积于透紫衬底基片表面的透明氧化物底电极和沉积于透明氧化物底电极表面的AlZnO合金薄膜;所述透明氧化物底电极为AlyZn1-yO1+0.5y薄膜,其中y≤0.02;所述AlZnO合金薄膜的化学式为AlxZn1-xO1+0.5x,其中0.2≤x≤0.7。
2.根据权利要求1所述的AlZnO紫外光电阴极材料,其特征在于,所述AlZnO合金薄膜的化学式AlxZn1-xO1+0.5x中,0.3≤x≤0.7。
3.根据权利要求1所述的AlZnO紫外光电阴极材料,其特征在于,所述透紫衬底基片为蓝宝石基片或石英基片。
4.一种紫外真空像增强器,包括真空封装的AlZnO紫外光电阴极和阳极;所述AlZnO紫外光电阴极包括透紫衬底基片、沉积于透紫衬底基片表面的透明氧化物底电极和沉积于透明氧化物底电极表面的AlZnO合金薄膜;所述透明氧化物底电极为AlyZn1-yO1+0.5y薄膜,其中y≤0.02;所述AlZnO合金薄膜的化学式为AlxZn1-xO1+0.5x,其中0.2≤x≤0.7。
5.根据权利要求4所述的紫外真空像增强器,其特征在于,所述AlZnO合金薄膜的化学式AlxZn1-xO1+0.5x中,0.3≤x≤0.7。
6.根据权利要求4所述的紫外真空像增强器,其特征在于,所述透紫衬底基片为蓝宝石基片或石英基片。
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