[发明专利]金属有机物磊晶薄膜的制造方法无效
申请号: | 201110403608.5 | 申请日: | 2011-12-07 |
公开(公告)号: | CN103147069A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 周义才 | 申请(专利权)人: | 周义才 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;H01L21/02;H01L21/20 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 中国台湾台北市民生*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种金属有机物磊晶薄膜的制造方法,该方法是在内预置有晶圆基板及α射线的密闭空间内,进行以下步骤,包括:抽真空步骤,对该空间进行抽真空,并维持在超真空环境;燃烧步骤,于前述抽真空过程将强酸物质吸入该空间内,并对该空间施予高压,借真空放电原理令该强酸物质瞬间燃烧;形成步骤,前述瞬间燃烧持续一段时间,借热升华纯化为完整的气体,令该强酸物质进一步利用高压的电位差开始放电,将热升华纯化所形成气体的分子的电子与原子核,透过该晶圆基板将其中的电子分开,并产生结晶体获得质量,有序均匀地埋入该晶圆基板上,形成磊晶薄膜,通过上述方法不仅不良率低、提高产能与质量,还有效地缩小所需设备面积及降低成本。 | ||
搜索关键词: | 金属 有机物 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种金属有机物磊晶薄膜的制造方法,其特征在于,该方法是在内预置有晶圆基板及α射线的密闭空间内,进行以下步骤,包括:抽真空步骤,对该密闭空间进行抽真空,并维持在超真空环境;燃烧步骤,于前述抽真空过程将强酸物质吸入该密闭空间内,并对该密闭空间施予高压,借真空放电原理令该强酸物质瞬间燃烧,并达瞬间化学温度至少1100度;形成步骤,将前述瞬间燃烧持续一段时间,借热升华将该强酸物质纯化为完整的气体,令该强酸物质在超真空与高压环境下开始放电,借高压电位差将热升华纯化所形成气体的分子的电子与原子核,透过该晶圆基板将其中的电子分开,并产生结晶体获得质量,有序均匀地埋入该晶圆基板上,形成磊晶薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于周义才,未经周义才许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110403608.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的