[发明专利]一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构

摘要

本发明提供一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，包括具有源区、漏区及沟道区的有源区、位于所述有源区四周侧的浅沟道隔离槽、位于所述沟道区上且采用双边缘超出有源区结构的栅区、以及两个虚设浅沟道隔离槽，其中，所述两虚设浅沟道隔离槽间隔设置于所述有源区内且与所述栅区相互垂直。在原始的版图结构中增加了虚设浅沟槽隔离氧化物，使得器件沟道区边缘的栅延长到隔离氧化物区域宽度减小，阻止源漏之间形成漏电路径，从而达到抗总剂量加固的目的。本发明工艺简单，适用于大规模的工业生产。

主权项

一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，其特征在于，所述版图结构至少包括：具有源区，漏区及沟道区的有源区，位于所述有源区四周侧的浅沟道隔离槽，覆盖于所述沟道区上的栅区，且所述栅区朝向该有源区的相对两侧横向延伸并超出该有源区的相对两侧边缘，以及两纵向延伸的虚设浅沟道隔离区，其中，所述两虚设浅沟道隔离区分别形成于所述有源区两侧的边缘内并与所述栅区的延伸方向相垂直。