[发明专利]一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构

权利要求书

1.一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，其特征在于，所述版图结构至少包括：具有源区，漏区及沟道区的有源区，位于所述有源区四周侧的浅沟道隔离槽，覆盖于所述沟道区上的栅区，且所述栅区朝向该有源区的相对两侧横向延伸并超出该有源区的相对两侧边缘，以及两纵向延伸的虚设浅沟道隔离区，其中，所述两虚设浅沟道隔离区分别形成于所述有源区两侧的边缘内并与所述栅区的延伸方向相垂直。

2.根据权利要求1所述的抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，其特征在于：所述版图结构还包括设置于所述栅区一端的接触区。

3.根据权利要求1或2所述的抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，其特征在于：所述虚设浅沟道隔离区由一个虚设浅沟道隔离槽或者至少两个间隔排列的虚设浅沟道隔离槽组成。

4.根据权利要求3所述的抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，其特征在于：所述虚设浅沟道隔离槽的宽度大于或等于制备该结构版图使用的深亚微米工艺所能达到的最小线宽。

5.根据权利要求3所述的抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，其特征在于：在0.35微米工艺中，所述虚设浅沟道隔离槽的宽度为0.35μm～0.5μm。

6.根据权利要求3所述的抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，其特征在于：在0.18微米工艺中，所述虚设浅沟道隔离槽的宽度为0.18μm～0.25μm。

7.根据权利要求3所述的抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，其特征在于：在0.13微米工艺中，所述虚设浅沟道隔离槽的宽度为0.13μm～0.2μm。

8.根据权利要求3所述的抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，其特征在于：在0.11微米工艺中，所述虚设浅沟道隔离槽的宽度为0.11μm～0.18μm。

9.根据权利要求3所述的抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，其特征在于：所述两虚设浅沟道隔离区分别与所述有源区两侧的边缘具有一预设的间距。

10.根据权利要求9所述的抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，其特征在于：所述虚设浅沟道隔离槽为至少两个，且所述虚设浅沟道隔离区内各该虚设浅沟道隔离槽的间距等于所述虚设浅沟道隔离区与所述有源区两侧的边缘的间距。