[发明专利]一种FRD器件结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种FRD器件结构和及其制作方法，在FRD器件结构的沟槽侧壁上形成绝缘层，使所述绝缘层与P型掺杂区的表面复合作为复合中心，从而形成从P型掺杂区到绝缘层的复合途径，进而有效改善器件的反向恢复特性；并且因沟槽侧壁上绝缘层的存在，使部分原本在P型掺杂区中经过复合途径到达P型掺杂区上表面的复合载流子被绝缘层被屏蔽后，在绝缘层表面进行复合，从而进一步提高了发射效率，改善通态压降。此外，通过控制P型掺杂区中沟槽底部的掺杂浓度，从而避免载流子扩散长度急剧减小，避免载流子散射和俄歇复合效应，提高P型掺杂区中沟槽底部区域的发射效率，补偿了沟槽因掺杂降低引起通态压降升高，改善正向压降。

主权项

一种FRD器件结构，其特征在于，包括N型重掺杂层；N型掺杂层，位于所述N型重掺杂层上；以及P型掺杂区，位于所述N型掺杂层中；P型掺杂区与N型掺杂层构成PN结；至少一个沟槽，位于所述P型掺杂区中，所述沟槽的深度小于所述P型掺杂区的厚度；沟槽两侧和底部的P型掺杂区是连续的；沟槽的底部和两侧被P型掺杂区包围，沟槽底部没有穿透P型掺杂区的底部；以及绝缘层，形成于所述沟槽的侧壁上；所述沟槽的侧壁上的所述绝缘层和所述沟槽的底部接触所述P型掺杂区，且所述绝缘层与所述P型掺杂区的表面复合作为复合中心，从而形成从所述P型掺杂区到所述绝缘层的复合途径。