[发明专利]一种FRD器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110401630.6 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN102437200B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 孙德明 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 frd 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种FRD器件结构，其特征在于，包括
N型重掺杂层；
N型掺杂层，位于所述N型重掺杂层上；以及
P型掺杂区，位于所述N型掺杂层中；
至少一个沟槽，位于所述P型掺杂区中，所述沟槽的深度小于所述P型掺杂区的厚度；以及
绝缘层，形成于所述沟槽的侧壁上。
2.如权利要求1所述的FRD器件结构，其特征在于，还包括保护环，位于所述N型掺杂层中，环绕所述P型掺杂区。
3.如权利要求1所述的FRD器件结构，其特征在于，所述绝缘层的材质为二氧化硅或氮氧化硅。
4.如权利要求1所述的FRD器件结构，其特征在于，所述绝缘层的厚度大于20纳米。
5.如权利要求1所述的FRD器件结构，其特征在于，所述沟槽的深度大于3微米，所述沟槽的宽度与所述P型掺杂区的宽度比大于2/3小于4/5。
6.如权利要求1所述的FRD器件结构，其特征在于，所述P型掺杂区的掺杂浓度为5E15/cm3～1E17/cm3。
7.一种FRD器件结构的制造方法，包括：
提供一半导体基板，由下向上包括N型重掺杂层和N型掺杂层；
在所述N型掺杂层中形成P型掺杂区；
在所述P型掺杂区中形成至少一个沟槽，所述沟槽的深度小于所述P型掺杂区的厚度；
进行第一次氧化，以在所述沟槽的底面和侧壁上形成氧化层；
干法刻蚀去除位于沟槽底面的氧化层。
8.如权利要求7所述的FRD器件结构的制造方法，其特征在于，在干法刻蚀去除位于沟槽底面的氧化层的步骤之后，还包括：
进行第二次氧化，以增厚位于沟槽侧壁的氧化层；
湿法刻蚀去除部分氧化层，暴露所述沟槽底部，以在所述沟槽的侧壁形成绝缘层。
9.如权利要求8所述的FRD器件结构的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的材质为二氧化硅或氮氧化硅。
10.如权利要求8所述的FRD器件结构的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度大于20纳米。
11.如权利要求7所述的FRD器件结构的制造方法，其特征在于，在所述N型掺杂层中形成P型掺杂区的步骤的同时，还包括形成保护环，位于所述N型掺杂层中，环绕所述P型掺杂区。
12.如权利要求7至11中任意一项所述的FRD器件结构的制造方法，其特征在于，在进行第一次氧化的步骤中，在所述沟槽的底面和侧壁上形成的氧化层的厚度大于15纳米。
13.如权利要求7至11中任意一项所述的FRD器件结构的制造方法，其特征在于，所述沟槽的深度大于3微米，所述沟槽的宽度与所述P型掺杂区的宽度比大于2/3小于4/5。
14.如权利要求7至11中任意一项所述的FRD器件结构的制造方法，其特征在于，所述P型掺杂区的掺杂浓度为5E15/cm3～1E17/cm3。
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