[发明专利]像素结构及其制作方法有效
申请号: | 201110399830.2 | 申请日: | 2011-12-06 |
公开(公告)号: | CN102496618A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 高金字;李育宗 | 申请(专利权)人: | 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;H01L21/336 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 215217 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种像素结构及其制作方法,包括一基板、一扫描线、一栅极、一绝缘层、一半导体信道、一数据线、一源极、一漏极、一保护层、一像素电极以及一连接电极。绝缘层设置于扫描线、栅极与基板上,对应栅极的半导体信道以及数据线设置于绝缘层上,其中数据线与扫描线未重迭。源极与漏极设置于半导体信道上。设置于源极、漏极与数据线上的保护层具有一第一接触洞部分暴露出漏极,以及复数个第二接触洞部分暴露出数据线或扫描线。设置于保护层上的像素电极经由第一接触洞与漏极电性连接,而设置于保护层上的连接电极则经由第二接触洞与数据线或扫描线电性连接。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种制作像素结构的方法,其特征在于,包括:提供一基板;于该基板上形成一扫描线以及一栅极;于该基板、该扫描线与该栅极上依序形成一绝缘层与一半导体层;于该半导体层上形成一金属层;于该金属层上形成一第一图案化光阻层,其中该第一图案化光阻层具有一平坦的顶面;去除未被该第一图案化光阻层覆盖的该金属层,以形成一电极图案以及一数据线,以及去除未被该第一图案化光阻层覆盖的该半导体层,以形成一半导体信道,其中该数据线与该扫描线未重迭;对该第一图案化光阻层进行一灰化制程,以缩减该第一图案化光阻层的厚度而形成一第二图案化光阻层,其中该第二图案化光阻层部分暴露出该电极图案,且该第二图案化光阻层的一顶面与该电极图案的一顶面为共平面;去除未被该第二图案化光阻层覆盖的该电极图案以形成一源极与一漏极;去除该第二图案化光阻层;于该源极、该漏极与该数据线上形成至少一保护层,其中该保护层具有一第一接触洞部分暴露出该漏极,以及复数个第二接触洞部分暴露出该数据线或该扫描线;以及于该保护层上形成一图案化透明导电层,其中该图案化透明导电层包括一像素电极经由该第一接触洞与该漏极电性连接,以及一连接电极经由该些第二接触洞与该数据线或该扫描线电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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