[发明专利]像素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种制作像素结构的方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

于该基板上形成一扫描线以及一栅极；

于该基板、该扫描线与该栅极上依序形成一绝缘层与一半导体层；

于该半导体层上形成一金属层；

于该金属层上形成一第一图案化光阻层，其中该第一图案化光阻层具有一平坦的顶面；

去除未被该第一图案化光阻层覆盖的该金属层，以形成一电极图案以及一数据线，以及去除未被该第一图案化光阻层覆盖的该半导体层，以形成一半导体信道，其中该数据线与该扫描线未重迭；

对该第一图案化光阻层进行一灰化制程，以缩减该第一图案化光阻层的厚度而形成一第二图案化光阻层，其中该第二图案化光阻层部分暴露出该电极图案，且该第二图案化光阻层的一顶面与该电极图案的一顶面为共平面；

去除未被该第二图案化光阻层覆盖的该电极图案以形成一源极与一漏极；

去除该第二图案化光阻层；

于该源极、该漏极与该数据线上形成至少一保护层，其中该保护层具有一第一接触洞部分暴露出该漏极，以及复数个第二接触洞部分暴露出该数据线或该扫描线；以及

于该保护层上形成一图案化透明导电层，其中该图案化透明导电层包括一像素电极经由该第一接触洞与该漏极电性连接，以及一连接电极经由该些第二接触洞与该数据线或该扫描线电性连接。

2.如权利要求1所述的制作像素结构的方法，其特征在于，该第一图案化光阻层是利用一非灰阶光罩加以形成。

3.如权利要求1所述的制作像素结构的方法，其特征在于，该数据线包括一第一数据线段与一第二数据线段彼此分离并分别位于该扫描线的两侧，该保护层的该些第二接触洞是分别部分暴露出该第一数据线段与该第二数据线段，且该连接电极经由该些第二接触洞与该第一数据线段以及该第二数据线段电性连接。

4.如权利要求1所述的制作像素结构的方法，其特征在于，该扫描线包括一第一扫描线段与一第二扫描线段彼此分离并分别位于该数据线的两侧，该绝缘层具有复数个第三接触洞分别与该保护层的该些第二接触洞对应并分别部分暴露出该第一扫描线段与该第二扫描线段，且该连接电极经由该些第二接触洞以及该些第三接触洞与该第一扫描线段以及该第二扫描线段电性连接。

5.如权利要求1所述的制作像素结构的方法，其特征在于，还包括：

形成该金属层之前，先于该半导体层上形成一奥姆接触层；

去除未被该第一图案化光阻层覆盖的该奥姆接触层；以及

去除未被该第二图案化光阻层覆盖的该奥姆接触层。

6.一种像素结构，其特征在于，还包括：

一基板；

一扫描线以及一栅极，设置于该基板上；

一绝缘层，设置于该扫描线、该栅极与该基板上；

一半导体信道，设置于该绝缘层上并对应该栅极；

一数据线，设置于该绝缘层上，其中该数据线与该扫描线未重迭；

一源极与一漏极，设置于该半导体信道上；

一保护层，设置于该源极、该漏极与该数据线上，其中该保护层具有一第一接触洞部分暴露出该漏极，以及复数个第二接触洞部分暴露出该数据线或该扫描线；

一像素电极，设置于该保护层上并经由该第一接触洞与该漏极电性连接；以及

一连接电极，设置于该保护层上并经由该些第二接触洞与该数据线或该扫描线电性连接。

7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，该数据线包括一第一数据线段与一第二数据线段彼此分离并分别位于该扫描线的两侧，该保护层的该些第二接触洞是分别部分暴露出该第一数据线段与该第二数据线段，且该连接电极经由该些第二接触洞与该第一数据线段与该第二数据线段电性连接。

8.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，该扫描线包括一第一扫描线段与一第二扫描线段彼此分离并分别位于该数据线的两侧，该绝缘层具有复数个第三接触洞分别与该保护层的该些第二接触洞对应并分别部分暴露出该第一扫描线段与该第二扫描线段，且该连接电极经由该些第二接触洞以及该些第三接触洞与该第一扫描线段以及该第二扫描线段电性连接。

9. 如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，还包括一奥姆接触层，位于该源极与该半导体信道之间，以及位于该漏极与该半导体信道之间。