[发明专利]一种化学机械研磨方法无效
| 申请号： | 201110397770.0 | 申请日： | 2011-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103128650A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 谭宇琦 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/07 | 分类号： | B24B37/07;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张懿;高为 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种化学机械研磨方法，其特征在于，所述方法包括：对介质层执行第一阶段化学机械研磨以使其初步平坦化；在初步平坦化的介质层表面沉积修补层；以及对所述修补层执行第二阶段化学机械研磨以将所述修补层的高于所述介质层表面的部分去除。本发明所提供的方法消耗小，流程短，效率高并且具有很强的操作性。通过采用本发明的方法可以大大减少由一般的化学机械研磨所造成的凹陷，有效避免了半导体器件的电路失效，从而减少晶片报废的情况并且大大提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨方法，其特征在于，所述方法包括：对介质层执行第一阶段化学机械研磨以使其初步平坦化；在初步平坦化的介质层表面沉积修补层；以及对所述修补层执行第二阶段化学机械研磨以将所述修补层的高于所述介质层表面的部分去除。
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