[发明专利]一种化学机械研磨方法

权利要求书

1. 一种化学机械研磨方法，其特征在于，所述方法包括：

对介质层执行第一阶段化学机械研磨以使其初步平坦化；

在初步平坦化的介质层表面沉积修补层；以及

对所述修补层执行第二阶段化学机械研磨以将所述修补层的高于所述介质层表面的部分去除。

2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中在所述第二阶段化学机械研磨期间通过控制研磨时间而以预先设置的研磨速率将所述修补层的高于所述介质层表面的部分去除。

3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述修补层的高于所述介质层表面的部分的厚度在3000? ~ 5000?之间。

4. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中在所述第一和第二阶段化学机械研磨均包含主研磨步骤以及边缘研磨步骤，并且在所述第一和第二阶段的化学机械研磨期间设置相同的研磨平台转速、研磨头转速、卡环压力、膜片压力以及内部胎管压力。

5. 如权利要求4所述的方法，其特征在于，其中在所述主研磨步骤中，所述研磨平台转速被设置为大约93转/分钟，所述研磨头转速被设置为大约87转/分钟，所述卡环压力被设置在5.22~6.38磅/平方英寸范围内，所述膜片压力被设置在5.4~6.6磅/平方英寸范围内，所述内部胎管压力被设置在4.05~4.95磅/平方英寸范围内；并且

在所述边缘研磨步骤中，所述研磨平台转速被设置为大约93转/分钟，所述研磨头转速被设置为大约87转/分钟，所述卡环压力被设置在2.7~3.3磅/平方英寸范围内，所述膜片压力被设置在5.4~6.6磅/平方英寸范围内，所述内部胎管压力被设置在0.9~1.1磅/平方英寸范围内。

6. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述修补层由与所述介质层相同的材料构成。

7. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层为金属前介质层（PMD层）。

8. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述介质层为二氧化硅层。

9. 如权利要求8所述的方法，其特征在于，其中通过沉积正硅酸乙酯TEOS与氧气反应所生成的二氧化硅来生成所述修补层。

10. 如权利要求9所述的方法，其特征在于，其中采用离子增强型化学气相沉积PECVD工艺来沉积所述修补层。

11. 如权利要求9所述的方法，其特征在于，其中采用高密度等离子化学气相沉积HDPCVD工艺来沉积所述修补层。