[发明专利]一种高迁移率MOS电容及其制作方法无效
| 申请号： | 201110397385.6 | 申请日： | 2011-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN102403367A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 卢红亮;耿阳;孙清清;周鹏;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/334 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体为一种高迁移率MOS电容及其制作方法。本发明提出的MOS电容结构依次为迁移率衬底、三甲基铝钝化层、HfO2栅介质层和电极。其制作方法包括：清洗高迁移率衬底，衬底表面形成三甲基铝钝化层，ALD淀积HfO2栅介质，制作电极。本发明中的三甲基铝钝化层可以减小衬底表面的残余氧化物含量从而减小与栅介质材料的界面态密度，改善界面特性。所淀积的HfO2介质层具有薄膜厚度的精确控制性，优异的保形性，良好的界面控制能力，极好的大面积均匀性，因此可大大提高MOS电容的电学特性，从而提高MOS晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 迁移率 mos 电容 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高迁移率MOS电容，其特征在于由依次排叠的高迁移率衬底(101)、三甲基铝钝化层 (103）、HfO2栅介质层(104)和电极(105)构成。
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