[发明专利]互连线电阻电容的测量结构和方法无效

专利信息
申请号: 201110395512.9 申请日: 2011-12-03
公开(公告)号: CN103134989A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 王磊;魏泰;程玉华 申请(专利权)人: 上海北京大学微电子研究院
主分类号: G01R27/08 分类号: G01R27/08;G01R27/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明为互连线电阻电容的测量结构和方法,提供了多层互连线测试结构中的层内电容和层内电阻测试方法,以提高测量的精确度,并尽量减小芯片面积,降低生产成本,该结构包括多个子测试结构,所述子测试结构包含由电阻互连线和电容互连线构成的combmeander结构,在某一子测试结构的所述电阻互连线两端连接有子电阻测量端,其他的子测试结构通过互连线及测量开关并联到子电阻测试端;所有子测试结构的电容互连线并联;其中各测试端位于不相邻的金属层;其余金属层为平行板结构。
搜索关键词: 互连 电阻 电容 测量 结构 方法
【主权项】:
一种互连线测试结构,其特征在于,包括:多个子测试结构,所述子测试结构包含电阻互连线和电容互连线,且某一个所述电阻互连线连接有独立使用的测试端口,所述电容互连线连接有独立使用的测试端口,电阻互连线和电容互连线有平行部分,与同一根电阻互连线相连的测试端口有四个,其他子测试结构电阻互连线通过连接及测量开关并联到子电阻测试端,各个子测试结构的电容互连线通过连接并联;各子测试结构位于不相邻的金属层。
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