[发明专利]在钻石基板上形成的磊晶层结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110394657.7 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN103137801A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 李家铭;叶念慈;张翔思;吕元杰 | 申请（专利权）人： | 泰谷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种在钻石基板上形成的多个磊晶层的结构，该结构包括：钻石基板；界面层，其形成在该钻石基板一侧，该界面层具有多晶或非晶结构；多个磊晶层，其形成在该界面层上，该多个磊晶层依次包括缓冲层、n型半导体层、发光层、及p型半导体层，其中，该n型半导体层为部分暴露；多个电极，该多个电极包括n型电极和p型电极，且该n型电极与该n型半导体层接触，而该p型电极与p型半导体层接触。此外，本发明还提供在钻石基板上形成多个磊晶层结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 钻石 基板上 形成 磊晶层 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种在钻石基板上形成的多个磊晶层的结构，包括：钻石基板；界面层，其形成在该钻石基板一侧，该界面层具有多晶或非晶结构；多个磊晶层，其形成该界面层上，该多个磊晶层依次包括缓冲层、n型半导体层、发光层、和p型半导体层，其中，该n型半导体层为部分暴露；多个电极，该多个电极包括n型电极和p型电极，且该n型电极与该n型半导体层接触，而该p型电极与p型半导体层接触。
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