[发明专利]在钻石基板上形成的磊晶层结构及其制造方法

权利要求书

1.一种在钻石基板上形成的多个磊晶层的结构，包括：

钻石基板；

界面层，其形成在该钻石基板一侧，该界面层具有多晶或非晶结构；

多个磊晶层，其形成该界面层上，该多个磊晶层依次包括缓冲层、n型半导体层、发光层、和p型半导体层，其中，该n型半导体层为部分暴露；

多个电极，该多个电极包括n型电极和p型电极，且该n型电极与该n型半导体层接触，而该p型电极与p型半导体层接触。

2.如权利要求1所述的结构，其中该钻石基板的厚度为大约5000微米以下。

3.如权利要求1所述的结构，其中该界面层的厚度为大约500纳米以下。

4.如权利要求1所述的结构，其中该界面层选自成核层或转换层。

5.如权利要求4所述的结构，其中该成核层由单层或多层氮化铝铟镓(Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)所构成。

6.如权利要求5所述的结构，其中该成核层厚度为大约5至500纳米。

7.如权利要求4所述的结构，其中该转换层由薄膜或纳米结构的金属氧化物、非金属硅化物(Si_zA_n，Si表示硅元素，A表示非金属元素，z与n表示原子比例)、或金属硅化物(M_kSi_z，M表示金属元素，Si表示硅元素，k与z表示原子比例)所构成，其中该金属氧化物包括氧化锌、氧化铟锡、氧化铟、或氧化锡等，而该非金属硅化物则包括氮化硅、氧化硅等。

8.如权利要求1所述的结构，其中该界面层经由选自涂布、磊晶、沉积、溅镀、蒸镀、电镀、或溶液离子交换键结等物理或化学方式形成。

9.一种在钻石基板上形成多个磊晶层的方法，包括：

提供钻石基板；

在该钻石基板一侧形成界面层，该界面层具有多晶或非晶结构；

在该界面层上形成多个磊晶层，该多个磊晶层依次包括缓冲层、n型半导体层、发光层、和p型半导体层；

进行蚀刻处理，以暴露部分该n型半导体层；和

设置多个电极，该多个电极包括n型电极和p型电极，且该n型电极与该n型半导体层接触，而该p型电极与p型半导体层接触。

10.如权利要求9所述的方法，其中该界面层由薄膜或纳米结构的金属氧化物、非金属硅化物(Si_zA_n，Si表示硅元素，A表示非金属元素，z与n表示原子比例)、或金属硅化物(M_kSi_z，M表示金属元素，Si表示硅元素，k与z表示原子比例)所构成，其中该金属氧化物包括氧化锌、氧化铟锡、氧化铟、或氧化锡等，而该非金属硅化物则包括氮化硅、氧化硅等。