[发明专利]SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法无效
| 申请号： | 201110392863.4 | 申请日： | 2011-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102437182A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 杜彦东;韩伟华;颜伟;张严波;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种SiO2/SiN双层钝化T型栅AlGaN/GaN HEMT，包括：一衬底，在衬底上依次生长GaN缓冲层、GaN本征层和AlGaN势垒层；源漏电极，该源漏电极制作在势垒层上面的两侧；一下钝化层，制作在源漏电极之间及势垒层的上面；一上钝化层，制作在源漏电极之间及下钝化层的上面；其中该下钝化层和上钝化层的中间有一条形栅槽；一栅电极，其断面为T形，制作在该下钝化层和上钝化层的条形栅槽内，栅电极上部高于上钝化层的表面。 | ||
| 搜索关键词： | sio sub sin 双层 钝化 型栅 algan gan hemt 制作方法 | ||
【主权项】：
一种SiO2/SiN双层钝化T型栅AlGaN/GaN HEMT，包括：一衬底，在衬底上依次生长有GaN缓冲层、GaN本征层和AlGaN势垒层；源漏电极，该源漏电极制作在势垒层上面的两侧；一下钝化层，制作在源漏电极之间及势垒层的上面；一上钝化层，制作在源漏电极之间及下钝化层的上面；其中该下钝化层和上钝化层的中间有一条形栅槽；一栅电极，其断面为T形，制作在该下钝化层和上钝化层的条形栅槽内，栅电极上部高于上钝化层的表面。
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