[发明专利]SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法

权利要求书

1.一种SiO₂/SiN双层钝化T型栅AlGaN/GaN HEMT，包括：

一衬底，在衬底上依次生长有GaN缓冲层、GaN本征层和AlGaN势垒层；

源漏电极，该源漏电极制作在势垒层上面的两侧；

一下钝化层，制作在源漏电极之间及势垒层的上面；

一上钝化层，制作在源漏电极之间及下钝化层的上面；

其中该下钝化层和上钝化层的中间有一条形栅槽；

一栅电极，其断面为T形，制作在该下钝化层和上钝化层的条形栅槽内，栅电极上部高于上钝化层的表面。

2.如权利要求1所述的SiO₂/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT，其中衬底的材料为蓝宝石、硅或碳化硅。

3.如权利要求1所述的SiO₂/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT，其中下钝化层的材料为SiO₂，厚度为10-30nm；上钝化层的材料为SiN，厚度为10-100nm。

4.如权利要求1所述的SiO₂/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT，其中源漏电极的材料为Ti/Al/Ni/Au；栅电极的材料为Ni/Au。

5.一种SiO₂/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT的制作方法，包括以下步骤：

步骤1：材料生长：在衬底上依次生长GaN缓冲层，GaN本征层和AlGaN势垒层；

步骤2：制备源漏电极：运用光刻开源漏电极窗口，蒸发源漏金属，剥离后，经过快速热退火在AlGaN势垒层上面的两侧形成源漏电极；

步骤3：淀积钝化层：在源漏电极的表面及AlGaN势垒层的表面依次淀积下钝化层和上钝化层；

步骤4：制备栅槽：采用光刻和干法刻蚀的方法，在上钝化层的中间位置形成条形栅槽；

步骤5：栅电极制备：光刻形成栅电极窗口，采用电子束蒸发和剥离工艺将栅电极材料蒸发到栅电极窗口，得到三维栅电极，该栅电极的断面为T型；

步骤6：去除钝化层：采用光刻和湿法腐蚀的方法，将源漏电极表面的下钝化层和上钝化层腐蚀掉，完成器件的制作。

6.如权利要求5所述的SiO₂/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT的制作方法，其中衬底的材料为蓝宝石、硅或碳化硅。

7.如权利要求5所述的SiO₂/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT的制作方法，其中下钝化层的材料为SiN，厚度为10-30nm；上钝化层的材料为SiO₂，厚度为10-100nm。

8.如权利要求5所述的SiO₂/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT的制作方法，其中源漏电极的材料为Ti/Al/Ni/Au；栅电极的材料为Ni/Au。

9.如权利要求5所述的SiO₂/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT的制作方法，其中所述的淀积下钝化层是采用以NH₃、SiH₄和N₂为反应气体；所述的淀积上钝化层是采用以N₂O、SiH₄和N₂为反应气体。