[发明专利]记忆体工艺后段结构的仿真构建方法及仿真构建装置有效
| 申请号： | 201110388699.X | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102508983A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张昊 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种记忆体工艺后段结构的仿真构建方法，同时针对仿真构建方法建立仿真构建装置。通过将基础结构中的第二介质层划分为至少四层分介质层，所述第二栅极的底面与第二分介质层底面重合，所述第三栅极底面与第四分介质层重合，从而形成了第二栅极与第三栅极“悬浮”于第二介质层的仿真结构，即避免违反仿真结构关于同一层介质必须为同种材料的要求，又能如实反映各个栅极的准确位置，从而能够获得准确的输出特性参数，提高仿真结果的真实性和准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆体 工艺 后段 结构 仿真 构建 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种记忆体工艺后段结构的仿真构建方法，其特征在于，包括以下步骤：建立基础结构，所述基础结构由下至上依次包括：第一绝缘层、第一介质层、第二介质层和第一金属层，还包括第一栅极，所述第一栅极的底面与所述第一绝缘层的底面重合；建立仿真结构，将所述基础结构中所述第一介质层划分为第一分介质层和第二分介质层，将所述第二介质层划分为第三分介质层和第四分介质层，并增加第二栅极和第三栅极，所述第二栅极的底面与第二分介质层底面重合，所述第三栅极底面与第四分介质层重合，所述第三栅极位于第二栅极正上方；设定参数，设定所述仿真结构的参数；输出仿真结果。
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