[发明专利]化学机械抛光研磨液动压分布和研磨去除率的确定方法有效
| 申请号： | 201110388504.1 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102509712A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 徐勤志;陈岚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/306;B24B37/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种化学机械抛光研磨液动压分布和研磨去除率的确定方法，给定待研磨晶圆与研磨垫之间研磨液的厚度，根据研磨液的性质、研磨垫的角速度和液膜厚度确定研磨液的动压分布以及晶圆受到研磨液的作用力；根据研磨液和研磨垫的性质确定研磨时晶圆受到研磨垫和研磨粒子的作用力；结合晶圆受到的外力，判断晶圆所受作用力和力矩是否平衡，如果否，修正液膜厚度，重新确定晶圆受到的作用力和研磨液的动压分布；如果是，确定晶圆的研磨去除率。本发明能够预测晶圆经过化学机械研磨后的表面形貌，为CMP工艺建模提供指导；同时，能够反应研磨表面的变化特征，为集成电路版图的可制造性设计提出修改意见，从而提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 研磨 液动压 分布 去除 确定 方法 | ||
【主权项】：
化学机械抛光研磨液动压分布和研磨去除率的确定方法，其特征在于，包括步骤：给定待研磨晶圆与研磨垫之间研磨液的厚度；根据研磨液的性质、研磨垫的角速度和所述液膜厚度确定研磨液的动压分布；根据研磨液和研磨垫的性质确定研磨时晶圆受到研磨垫和研磨粒子的作用力；根据所述研磨液的动压分布确定化学机械抛光时晶圆受到研磨液的作用力；结合晶圆受到的外力，判断晶圆所受作用力和力矩是否平衡，如果否，修正液膜厚度，重新确定晶圆受到的作用力和研磨液的动压分布；如果是，确定晶圆的研磨去除率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
