[发明专利]化学机械抛光研磨液动压分布和研磨去除率的确定方法有效
| 申请号: | 201110388504.1 | 申请日: | 2011-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN102509712A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
| 发明(设计)人: | 徐勤志;陈岚 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/306;B24B37/34 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明;王宝筠 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 化学 机械抛光 研磨 液动压 分布 去除 确定 方法 | ||
1.化学机械抛光研磨液动压分布和研磨去除率的确定方法,其特征在于,包括步骤:
给定待研磨晶圆与研磨垫之间研磨液的厚度;
根据研磨液的性质、研磨垫的角速度和所述液膜厚度确定研磨液的动压分布;
根据研磨液和研磨垫的性质确定研磨时晶圆受到研磨垫和研磨粒子的作用力;
根据所述研磨液的动压分布确定化学机械抛光时晶圆受到研磨液的作用力;
结合晶圆受到的外力,判断晶圆所受作用力和力矩是否平衡,如果否,修正液膜厚度,重新确定晶圆受到的作用力和研磨液的动压分布;如果是,确定晶圆的研磨去除率。
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光研磨液动压分布和研磨去除率的确定方法,其特征在于,所述给定待研磨晶圆与研磨垫之间液膜厚度在三维笛卡尔坐标系中为:
其中,h0为研磨垫平均高度,RP为沟槽峰值高度,λx和λy为沿水平方向沟槽波动波长。
3.根据权利要求1或2所述的化学机械抛光研磨液动压分布和研磨去除率的确定方法,其特征在于,根据研磨液和研磨垫的性质确定研磨时晶圆受到研磨垫和研磨粒子的作用力包括:
确定研磨垫通过粒子传递给晶圆的作用力FT;
确定研磨垫与晶圆间的直接接触作用力FDC。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110388504.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种数据删除方法及装置
- 下一篇:基于CORS系统的地下管线定位方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





