[发明专利]改善硅接触孔刻蚀工艺窗口的方法

摘要

本发明公开了一种改善硅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，在硅接触孔刻蚀工艺中加入步骤：做完源、漏极后，在包括STI区的硅衬底表面生长非掺杂的多晶硅作为刻蚀阻挡层，去除不需保护区域的多晶硅；在刻蚀接触孔时，先用二氧化硅对多晶硅高选择比的刻蚀工艺刻蚀二氧化硅，再用多晶硅对氮化硅和二氧化硅都是高选择比的工艺刻蚀多晶硅，完成硅接触孔的刻蚀。该方法利用局部的非掺杂多晶硅刻蚀阻挡层，减少了硅接触孔刻蚀时，多晶硅栅极上的氮化硅绝缘层及borderless孔在STI边缘的氧化层受到的损失，从而改善了硅接触孔刻蚀工艺窗口，避免了自对准孔和多晶硅栅极间的电压泄露及borderless孔在STI边缘漏电。

主权项

一种改善硅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，其特征在于，在常规的硅接触孔刻蚀工艺中，加入以下工艺步骤：1)在完成源极和漏极制作后，在包括浅沟槽隔离区的硅衬底表面生长一层非掺杂的多晶硅，作为硅接触孔刻蚀时的刻蚀阻挡层；2)去除硅接触孔刻蚀时不需要保护的区域的多晶硅刻蚀阻挡层；3)在刻蚀接触孔时，先用二氧化硅对多晶硅高选择比的刻蚀工艺刻蚀二氧化硅，使刻蚀停留在多晶硅刻蚀阻挡层；4)再用多晶硅对氮化硅和二氧化硅都是高选择比的工艺刻蚀多晶硅，完成硅接触孔的刻蚀。