[发明专利]改善硅接触孔刻蚀工艺窗口的方法

权利要求书

1.一种改善硅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，其特征在于，在常规的硅接触孔刻蚀工艺中，加入以下工艺步骤：

1)在完成源极和漏极制作后，在包括浅沟槽隔离区的硅衬底表面生长一层非掺杂的多晶硅，作为硅接触孔刻蚀时的刻蚀阻挡层；

2)去除硅接触孔刻蚀时不需要保护的区域的多晶硅刻蚀阻挡层；

3)在刻蚀接触孔时，先用二氧化硅对多晶硅高选择比的刻蚀工艺刻蚀二氧化硅，使刻蚀停留在多晶硅刻蚀阻挡层；

4)再用多晶硅对氮化硅和二氧化硅都是高选择比的工艺刻蚀多晶硅，完成硅接触孔的刻蚀。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)，所述多晶硅刻蚀阻挡层的厚度为100～500埃米。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)，采用光刻和刻蚀方法去除不需要保护区域的多晶硅刻蚀阻挡层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)，二氧化硅对多晶硅的选择比在10∶1以上。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)，多晶硅对氮化硅和二氧化硅的选择比都在10∶1以上。